技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SIS412DN-T1-GE3 |
| 封裝： | QFN |
| 批次： | 20+ |
| 數(shù)量： | 9000 |
| 對無鉛要求的達標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況： | 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 類別： | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 類型： | N 通道 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30V |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 12A（Tc） |
| 驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（值）： | 24 毫歐 @ 7.8A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 12nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 435pF @ 15V |
| 功率耗散（值）： | 3.2W（Ta），15.6W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK® 1212-8 |
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)。