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BSC123N08NS3GATMA1 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+

產品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協議為準
  • 產品型號:BSC123N08NS3GATMA1
  • 品牌:
  • 產品類別:絕緣柵(MOSFET)
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-12-06 18:18:39
  • 瀏覽次數:7
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  • 經營模式:其他
  • 商鋪產品:698條
  • 所在地區:
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產品簡介

技術參數品牌:Infineon英飛凌型號:BSC123N08NS3GATMA1批次:21+數量:12000制造商:Infineon產品種類:MOSFETRoHS:是技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝/箱體:PG-TDSON-8晶體管極性:N-Channel通道數量:1ChannelVds-漏源極擊穿電壓:80VId-連續漏極電流:55ARdsOn-漏源導通電阻:12

詳情介紹


技術參數

品牌:Infineon 英飛凌
型號:BSC123N08NS3GATMA1
批次:21+
數量:12000
制造商:Infineon
產品種類:MOSFET
RoHS:
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PG-TDSON-8
晶體管極性:N-Channel
通道數量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:80 V
Id-連續漏極電流:55 A
Rds On-漏源導通電阻:12.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Qg-柵極電荷:19 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:66 W
通道模式:Enhancement
商標名:OptiMOS
配置:Single
高度:1.27 mm
長度:5.9 mm
系列:OptiMOS 3
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:5.15 mm
商標:Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值:22 S
開發套件:EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
下降時間:4 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:18 ns
工廠包裝數量:5000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:19 ns
典型接通延遲時間:12 ns
零件號別名:BSC123N08NS3 G SP000443916
單位重量:172 mg
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