產品簡介
技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：IPG20N04S4L-08批次：21+數量：12000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TDSON-8通道數量：2Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：40VId-連續漏極電流：20ARdsOn-漏源導通電阻：7
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | Infineon 英飛凌 |
| 型號： | IPG20N04S4L-08 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 12000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TDSON-8 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 40 V |
| Id-連續漏極電流： | 20 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 7.2 mOhms, 7.2 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 16 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.2 V |
| Qg-柵極電荷： | 39 nC, 39 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 54 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 1.27 mm |
| 長度： | 5.9 mm |
| 系列： | OptiMOS-T2 |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 寬度： | 5.15 mm |
| 下降時間： | 20 ns, 20 ns |
| 上升時間： | 3 ns, 3 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 40 ns, 40 ns |
| 典型接通延遲時間： | 7 ns, 7 ns |
| 零件號別名： | IPG20N04S4L08ATMA1 SP000705576 IPG2N4S4L8XT IPG20N04S4L08ATMA1 |
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