技術參數
| 品牌： | ON 安森美 |
| 型號： | NGTB40N120FL2WG |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 10000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | IGBT 晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 封裝 / 箱體： | TO-247 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 1200 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 2 V |
| 柵極/發射極電壓： | 30 V |
| 在25 C的連續集電極電流： | 80 A |
| Pd-功率耗散： | 535 W |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| 系列： | NGTB40N120FL2 |
| 商標： | ON Semiconductor |
| 柵極—射極漏泄電流： | 200 nA |
| 產品類型： | IGBT Transistors |
| 工廠包裝數量： | 30 |
| 子類別： | IGBTs |
| 單位重量： | 6.500 g |
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