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SMD封裝晶振有什么

2026年01月24日 09:17:58      來源:深圳市鉅浩科技有限公司 >> 進入該公司展臺      閱讀量:3

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說起晶振的封裝,我們會想到直插式和貼片式。那么你對貼片封裝也就是SMD封裝的了解有多深呢?

  SMD它是Surface Mounted Devices的縮寫,意為:外表貼裝器件,它是SMT(Surface Mount Technology)元器件中的一種。在電子線路板生產的初級階段,過孔安裝由人工來完結。主動化機器推出后,它們可放置一些簡單的引腳元件,但是復雜的元件仍需求手工放置方可進行波峰焊。外表組裝元件(Surface Mounted components)主要有矩形片式元件、圓柱形片式元件、復合片式元件、異形片式元件。

  1、BGA(ball grid array)

  球形觸點陳設,外表貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳設方式制造出球形凸點用以替代引腳,在印刷基板的正面安裝LSI 芯片,然后用模壓樹脂或灌封辦法進行密封。也稱為凸點陳設載體(PAC)。引腳可超過200,是多引腳LSI 用的一種封裝。

  封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如,引腳中心距為1.5mm 的360 引腳BGA 僅為31mm 見方;而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不必擔心QFP 那樣的引腳變形問題。

  該封裝是美國Motorola 公司開發(fā)的,首先在便攜式電話等設備中被選用,往后在美國有可能在個人計算機中遍及。開始,BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm,引腳數(shù)為225。現(xiàn)在也有一些LSI 廠家正在開發(fā)500 引腳的BGA。

  BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查。現(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查辦法。有的以為,由于焊接的中心距較大,銜接可以看作是安穩(wěn)的,只能通過功能檢查來處理。

  美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC,而把灌封辦法密封的封裝稱為 GPAC(見OMPAC 和GPAC)。

  2、BQFP(quad flat package with bumper)

  帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一,在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊)以 避免在運送過程中引腳發(fā)作曲折變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中選用此封裝。引腳中心距0.635mm,引腳數(shù)從84 到196 左右(見QFP)。

  3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)

  外表貼裝型PGA 的別稱(見外表貼裝型PGA)。

  4、C-(ceramic)

  表示陶瓷封裝的記號。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中常常運用的記號。

  5、Cerdip

  用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝,用于ECL RAM,DSP(數(shù)字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數(shù)從8 到42。在日本,此封裝表示為DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。

  6、Cerquad

  外表貼裝型封裝之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗口的Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好,在天然空冷條件下可容許1.5~2W 的功率。但封裝本錢比塑料QFP 高3~5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等多種規(guī)范。引腳數(shù)從32 到368。

  7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)

  帶引腳的陶瓷芯片載體,外表貼裝型封裝之一,引腳從封裝的四個旁邊面引出,呈丁字形。 帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G(見QFJ)。

  8、COB(chip on board)

  板上芯片封裝,是裸芯片貼裝技能之一,半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上,芯片與基 板的電氣銜接用引線縫合辦法完成,芯片與基板的電氣銜接用引線縫合辦法完成,并用樹脂掩蓋以確保可靠性。雖然COB 是的裸芯片貼裝技能,但它的封裝密度遠不如TAB 和倒片焊技能。

  9、DFP(dual flat package)

  雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。曾經曾有此稱法,現(xiàn)在已基本上不必。

  10、DIC(dual in-line ceramic package) 陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP)。

  11、DIL(dual in-line)

  DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此稱號。

  12、DIP(dual in-line package)

  雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩邊引出,封裝資料有塑料和陶瓷兩種。 DIP 是最遍及的插裝型封裝,運用范圍包括規(guī)范邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等。 引腳中心距2.54mm,引腳數(shù)從6 到64。封裝寬度一般為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但大都情況下并不加區(qū)分,只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外,用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。

  13、DSO(dual small out-lint)

  雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家選用此稱號。

  14、DICP(dual tape carrier package)

  雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制造在絕緣帶上并從封裝兩邊引出。由于利 用的是TAB(主動帶載焊接)技能,封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動LSI,但大都為定制品。 另外,0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本,按照EIAJ(日本電子機械工業(yè))會規(guī)范規(guī)則,將DICP 命名為DTP。

  15、DIP(dual tape carrier package)

  同上。日本電子機械工業(yè)會規(guī)范對DTCP 的命名(見DTCP)。

  16、FP(flat package)

  扁平封裝。外表貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家選用此稱號。

  17、flip-chip

  倒焊芯片。裸芯片封裝技能之一,在LSI 芯片的電極區(qū)制造好金屬凸點,然后把金屬凸點 與印刷基板上的電極區(qū)進行壓焊銜接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技能中體積最小、的一種。

  但假如基板的熱膨脹系數(shù)與LSI 芯片不同,就會在接合處產生反應,從而影響銜接的可靠 性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片,并運用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板資料。

  18、FQFP(fine pitch quad flat package)

  小引腳中心距QFP。一般指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采 用此稱號。

  19、CPAC(globe top pad array carrier) 美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。

  20、CQFP(quad fiat package with guard ring)

  帶保護環(huán)的四側引腳扁平封裝。塑料QFP 之一,引腳用樹脂保護環(huán)掩蔽,以避免曲折變形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前,從保護環(huán)處堵截引腳并使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。這種封裝在美國Motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm,引腳數(shù)最多為208 左右。

  21、H-(with heat sink)

  表示帶散熱器的標記。例如,HSOP 表示帶散熱器的SOP。

  22、pin grid array(surface mount type)

  外表貼裝型PGA。一般PGA 為插裝型封裝,引腳長約3.4mm。外表貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳設狀的引腳,其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝選用與印刷基板碰焊的辦法,因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只要1.27mm,比插裝型PGA 小一半,所以封裝本體可制造得不怎么大,而引腳數(shù)比插裝型多(250~528),是大規(guī)模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制造封裝已經有用化。

  23、JLCC(J-leaded chip carrier)

  J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半導體廠家選用的稱號。

  24、LCC(Leadless chip carrier)

  無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個旁邊面只要電極觸摸而無引腳的外表貼裝型封裝。是高 速和高頻IC 用封裝,也稱為陶瓷QFN 或QFN-C(見QFN)。

  25、LGA(land grid array)

  觸點陳設封裝。即在底面制造有陣列狀況坦電極觸點的封裝。安裝時插入插座即可。現(xiàn)已 有用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,運用于高速邏輯LSI 電路。

  LGA 與QFP 比較,可以以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外,由于引線的阻抗小,對于高速LSI 是很適用的。但由于插座制造復雜,本錢高,現(xiàn)在基本上不怎么運用。預計往后對其需求會有所增加。

  26、LOC(lead on chip)

  芯片上引線封裝。LSI 封裝技能之一,引線結構的前端處于芯片上方的一種結構,芯片的 中心鄰近制造有凸焊點,用引線縫合進行電氣銜接。與本來把引線結構布置在芯片旁邊面鄰近的結構比較,在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm 左右寬度。

  27、LQFP(low profile quad flat package)

  薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP,是日本電子機械工業(yè)會根據(jù)制定的新QFP 外形規(guī)范所用的稱號。

  28、L-QUAD

  陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁,基導熱率比氧化鋁高7~8 倍,具有較好的散熱性。 封裝的結構用氧化鋁,芯片用灌封法密封,從而抑制了本錢。是為邏輯LSI 開發(fā)的一種封裝,在天然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳(0.65mm中心距)的LSI 邏輯用封裝,并于1993 年10 月開始投入批量生產。

  29、MCM(mulTI-chip module)

  多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板資料可分 為MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大類。

  MCM-L 是運用一般的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高,本錢較低。 MCM-C 是用厚膜技能構成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無顯著差別。布線密度高于MCM-L。 MCM-D 是用薄膜技能構成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組件。 布線密議在三種組件中是的,但本錢也高。

  30、MFP(mini flat package)

  小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家選用的稱號。


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