技術參數
| 品牌： | DIODES/美臺 |
| 型號： | DMTH10H005LCT |
| 批號： | 19+20+ |
| 封裝： | TO-220 |
| 數量： | 21050 |
| QQ： | |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 產品種類： | MOSFET |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220AB-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 100 V |
| Id-連續漏極電流： | 140 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 4 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.4 V |
| Qg-柵極電荷： | 114 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 187 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封裝： | Tube |
| 系列： | DMTH10H005 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 商標： | Diodes Incorporated |
| 下降時間： | 53.1 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 26.9 ns |
| 工廠包裝數量： | 50 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 83.6 ns |
| 典型接通延遲時間： | 25 ns |
| 單位重量： | 1.800 g |
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