產品簡介
技術參數品牌：TI/德州儀器型號：CSD18532Q5B批號：封裝：VSOP8數量：16800QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：含鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：分立半導體產品產品族：晶體管-FET
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | TI/德州儀器 |
| 型號： | CSD18532Q5B |
| 批號： |
| 封裝： | VSOP8 |
| 數量： | 16800 |
| QQ： | |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 含鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | NexFET™ |
| FET 類型： | N 通道 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 60V |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 100A（Ta） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 3.2 毫歐 @ 25A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 58nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 5070pF @ 30V |
| 功率耗散（值）： | 3.2W（Ta），156W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | 8-PowerTDFN |
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