產品簡介
技術參數品牌：DIODES型號：ZXMP6A16DN8TA封裝：NA批次：20+數量：1000制造商：DiodesIncorporated產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SO-8通道數量：2Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：3
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | DIODES |
| 型號： | ZXMP6A16DN8TA |
| 封裝： | NA |
| 批次： | 20+ |
| 數量： | 1000 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SO-8 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續漏極電流： | 3.9 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 125 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.15 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.5 mm |
| 長度： | 5 mm |
| 系列： | ZXMC6A |
| 晶體管類型： | 2 P-Channel |
| 寬度： | 4 mm |
| 下降時間： | 10 ns |
| 上升時間： | 4.1 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 35 ns |
| 典型接通延遲時間： | 3.5 ns |
| 單位重量： | 74 mg |
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