
技術參數
| 品牌: | IXYS |
| 型號: | IXTH80N65X2 |
| 封裝: | TO-247 |
| 批次: | 21+ |
| 數量: | 4000 |
| 制造商: | IXYS |
| 產品種類: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 安裝風格: | Through Hole |
| 封裝 / 箱體: | TO-247-3 |
| 通道數量: | 1 Channel |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 650 V |
| Id-連續漏極電流: | 80 A |
| Rds On-漏源導通電阻: | 38 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | 30 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2.7 V |
| Qg-柵極電荷: | 137 nC |
| 最小工作溫度: | - 55 C |
| 工作溫度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 890 W |
| 配置: | Single |
| 通道模式: | Enhancement |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel |
| 下降時間: | 7 ns |
| 上升時間: | 11 ns |
| 典型關閉延遲時間: | 72 ns |
| 典型接通延遲時間: | 36 ns |
| 單位重量: | 6 g |













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