產品簡介
技術參數品牌：Infineon型號：IKW75N60H3封裝：QFN批次：21+數量：2880制造商：Infineon產品種類：IGBT晶體管RoHS：是封裝/箱體：TO-247-3安裝風格：ThroughHole配置：Single集電極—發射極電壓VCEO：600V集電極—射極飽和電壓：1
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | Infineon |
| 型號： | IKW75N60H3 |
| 封裝： | QFN |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 2880 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | IGBT 晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 封裝 / 箱體： | TO-247-3 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 600 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 1.85 V |
| 柵極/發射極電壓： | 20 V |
| 在25 C的連續集電極電流： | 80 A |
| Pd-功率耗散： | 428 W |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| 系列： | HighSpeed 3 |
| 高度： | 20.7 mm |
| 長度： | 15.87 mm |
| 寬度： | 5.31 mm |
| 柵極—射極漏泄電流： | 100 nA |
| 零件號別名： | IKW75N60H3FKSA1 SP000906806 IKW75N6H3XK IKW75N60H3FKSA1 |
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