產品簡介
技術參數品牌：ON安森美型號：NTE4153NT1G批次：21+數量：10000制造商：onsemi產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SC-89-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：20VId-連續漏極電流：915mARdsOn-漏源導通電阻：230mOhmsVgs-柵極-源極電壓：-6V
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON 安森美 |
| 型號： | NTE4153NT1G |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 10000 |
| 制造商： | onsemi |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SC-89-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 20 V |
| Id-連續漏極電流： | 915 mA |
| Rds On-漏源導通電阻： | 230 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 6 V, + 6 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 450 mV |
| Qg-柵極電荷： | 1.82 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 300 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降時間： | 7.6 ns |
| 正向跨導 - 最小值： | 1.4 S |
| 高度： | 0.7 mm |
| 長度： | 1.6 mm |
| 上升時間： | 4.4 ns |
| 系列： | NTE4153N |
| 晶體管類型： | MOSFET |
| 典型關閉延遲時間： | 3.7 ns |
| 典型接通延遲時間： | 0.85 mm |
| 寬度： | 30 mg |
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