產品簡介
技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：IPB65R190CFD批次：21+數量：12000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-263-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：650VId-連續漏極電流：17
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | Infineon 英飛凌 |
| 型號： | IPB65R190CFD |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 12000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-263-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 650 V |
| Id-連續漏極電流： | 17.5 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 171 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 3.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 68 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 151 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 4.4 mm |
| 長度： | 10 mm |
| 系列： | CoolMOS CFD2 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 9.25 mm |
| 下降時間： | 6.4 ns |
| 上升時間： | 8.4 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 53.2 ns |
| 典型接通延遲時間： | 12 ns |
| 零件號別名： | IPB65R190CFDATMA1 SP000905378 IPB65R19CFDXT IPB65R190CFDATMA1 |
| 單位重量： | 4 g |
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