產品簡介
技術參數品牌：ST意法型號：STW3N150批次：21+數量：15000制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-247-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：1
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ST 意法 |
| 型號： | STW3N150 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 15000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-247-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 1.5 kV |
| Id-連續漏極電流： | 2.5 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 9 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 3 V |
| Qg-柵極電荷： | 29.3 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 140 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 20.15 mm |
| 長度： | 15.75 mm |
| 系列： | STW3N150 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel Power MOSFET |
| 寬度： | 5.15 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 2.6 S |
| 下降時間： | 61 ns |
| 上升時間： | 47 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 45 ns |
| 典型接通延遲時間： | 24 ns |
| 單位重量： | 38 g |
- 上一篇： AD8211YRJZ-RL7 穩流/電流管理IC ADI
- 下一篇： STM32L152RCT6 集成電路、處理器、微控
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。