技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | Infineon 英飛凌 |
| 型號： | BSC010NE2LSI |
| 批次： | 21+ |
| 數(shù)量： | 12000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PG-TDSON-8 |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 25 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 100 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 1.05 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.2 V |
| Qg-柵極電荷： | 59 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 96 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.27 mm |
| 長度： | 5.9 mm |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 5.15 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 80 S |
| 下降時間： | 4.6 ns |
| 上升時間： | 6.2 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時間： | 32 ns |
| 典型接通延遲時間： | 6.3 ns |
| 零件號別名： | BSC010NE2LSIATMA1 SP000854376 BSC1NE2LSIXT BSC010NE2LSIATMA1 |
| 單位重量： | 200 mg |
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