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FDC5614P 場效應(yīng)管 ON 安森美 批次21+

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:FDC5614P
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:絕緣柵(MOSFET)
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-12-06 18:12:02
  • 瀏覽次數(shù):7
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  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:698條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-12-06
  • 最近登錄:2023-12-06
  • 聯(lián)系人:王振安
  • 電    話:13590254191
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:ON安森美型號:FDC5614P批次:21+數(shù)量:10000類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FET

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:ON 安森美
型號:FDC5614P
批次:21+
數(shù)量:10000
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
制造商:onsemi
系列:PowerTrench®
FET 類型:P 通道
漏源電壓(Vdss):60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):3A(Ta)
驅(qū)動電壓( Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(值):105 毫歐 @ 3A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(值):3V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(值):24 nC @ 10 V
Vgs(值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(值):759 pF @ 30 V
功率耗散(值):1.6W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
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