產品簡介
技術參數品牌：ON安森美型號：NTZD3155CT2G批次：21+數量：10000制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-563-6通道數量：2Channel晶體管極性：N-Channel
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON 安森美 |
| 型號： | NTZD3155CT2G |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 10000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-563-6 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 20 V |
| Id-連續漏極電流： | 540 mA, 430 mA |
| Rds On-漏源導通電阻： | 1 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 6 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| Qg-柵極電荷： | 1.5 nC, 1.7 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 250 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.55 mm |
| 長度： | 1.6 mm |
| 系列： | NTZD3155C |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 寬度： | 1.2 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 1 S |
| 下降時間： | 8 ns, 19 ns |
| 上升時間： | 4 ns, 12 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 16 ns, 35 ns |
| 典型接通延遲時間： | 6 ns, 10 ns |
| 單位重量： | 3 mg |
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