Superluminescent Diodes (SLD) 超輻射發光二管 是介于激光器（LD）和發光二管（LED）之間的一種半導體光電器件,與激光二管類似，超輻射發光二管基于電驅動pn結，當正向偏置時，該pn結具有光學活性，并在寬波長范圍內產生放大的自發發射。SLD的峰值波長和強度取決于活性材料成分和注入電流水平。SLD被設計為對沿著波導產生的自發發射具有高的單程放大，但與激光二管不同，反饋不足以實現激光作用。這是通過傾斜波導和防反射涂層刻面的共同作用非常成功地獲得的。
SLD是具有相當寬的光學帶寬的光源。它們不同于光譜非常窄的激光器和光譜寬度大得多的白色光源。這種特性主要反映在光源的低時間相干性上（這是發射的光波隨時間保持相位的有限能力）。然而，SLD可能表現出高度的空間相干性，這意味著它們可以有效地耦合到單模光纖中。一些應用利用SLD源的低時間相干性來實現成像技術中的高空間分辨率。相干長度是一個經常用來表征光源的時間相干的量。它與光學干涉儀兩臂之間的路徑差有關，在該干涉儀上光波仍然能夠產生干涉圖案。
一方面，SLD是經過優化以產生大量放大自發發射（ASE）的半導體器件。為了做到這一點，它們結合了高功率增益部分，其中以30dB或更高的高增益因子放大種子自發發射。另一方面，SLD缺乏光學反饋，因此不可能發生激光作用。通過使小面相對于波導傾斜來抑制從光學部件（例如連接器）到腔中的光的背反射產生的光學反饋，并且可以通過抗反射涂層來進一步抑制。避免了共振器模式的形成，從而避免了光譜中明顯的結構和/或光譜變窄。
產品特點:
超寬帶ASE光譜(950-1050nm)
低紋波
強偏振
單獨老化和熱循環篩選
符合RoHS
應用:
光纖傳感器
儀器儀表
光譜學
| 規格 測試條件:連續工作，芯片溫度25°C，外殼安裝在室溫散熱器上 | |||||
| 參數 | 符號. | 小值. | 典型值. | 大值. | 單位 |
| 工作輸出功率 | Pout | 15 | 25 | mW | |
| 平均波長 | λm | 985 | 1000 | 1015 | nm |
| 帶寬 @ -3dB | Δλ | 80 | 100 | nm | |
| 譜傾角振幅 | 1 | 3 | dB | ||
| 基態大位置 | λg | 1015 | 1030 | 1045 | nm |
| 激發態大位置 | λe | 940 | 955 | 970 | nm |
| ASE譜波紋* | 0.02 | 0.3 | dB | ||
| 偏振消光比 | PER | 15 | 20 | dB | |
| 操作電流 | Iop | 600 | 700 | mA | |
| 正向電壓 | Vf | 1.7 | 1.9 | V | |
| 上升時間 | Trise | 0.15 | ns | ||
| 下降時間 | Tfall | 0.5 | ns | ||
* RMS在1nm范圍在ASE大，10pm分辨率
典型性能僅供參考
測試條件:連續工作，芯片溫度25°C，外殼安裝在室溫散熱器上
| 大額定參數 | |||
| 參數 | 小值 | 大值 | 單位 |
| SLD 反向電壓 | - | 2 | V |
| SLD 連續波正向電流 | - | 900 | mA |
| 熱電冷卻器電流 | - | 3 | A |
| 熱電冷卻器電壓 | - | 4 | V |
| 光纖彎曲半徑 | 3 | - | cm |
| 芯片工作溫度范圍 | 5 | 40 | °C |
| 外殼工作溫度 | 0 | 70 | °C |
| 存儲溫度范圍 | -40 | 85 | °C |
| 熱敏電阻規格 | 光纖規格 | |||||||
| 參數 | 數值 | 單位 | 參數 | HI1060 | PM980 | 單位 | ||
| 熱敏電阻 典型 | NTC | - | NA 典型 | 0.14 | 0.12 | |||
| 電阻 @25°C | 10 ± 0.1 | kOhm | 截止波長 | 920±50 | 900±70 | nm | ||
| Beta 0-50°C | 3375±1% | K | 模場直徑@1060nm | 6.2±0.3 | 6.6±0.3 | μm | ||
|
| 包層直徑 | 125±1 | 125±1 | μm | ||||
| 涂覆層直徑 | 245±15 | 245±15 | μm | |||||
| 長度(每個端口) | 1.0 ± 0.1 | m | ||||||
| 接口 | FC/APC(narrow key) | |||||||
| 連接器對準熊貓型光纖:
輸出光沿PM光纖的慢軸偏振。 | ||||||||
尺寸 (單位：毫米)
光纖耦合SLD典型參數
| 型號 | 平均波長 | 頻寬FWHM | 輸出功率 | 大波長 | 頻譜下降 | 波紋，均方根值 Ripples RMS1 | 偏振消光比PER | 工作電流 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| nm | nm | mW | nm | dB | dB | dB | mA | |
| SLD-1000-100-YY-25 | 1000 | 100 | 25 | 955, 1030 | 1 | 0.02 | 20 | 600 |
| SLD-1030-120-YY-15 | 1030 | 120 | 15 | 970, 1050 | 4 | 0.02 | 20 | 550 |
| SLD-1030-20-YY-150 | 1030 | 20 | 130 | 1030 | 0.04 | 20 | 800 | |
| SLD-1050-90-YY-35 | 1050 | 90 | 35 | 1050 | 0.2 | 20 | 700 | |
| SLD-1060-20-YY-150 | 1065 | 25 | 130 | 1060 | 0.05 | 20 | 800 | |
| SLD-1060-20-YY-300 | 1060 | 20 | 300 | 1060 | 0.3 | 20 | 1600 | |
| SLD-1064-20-YY-350 | 1064 | 20 | 350 | 1164 | 18 | 750 | ||
| SLD-1080-30-YY-100 | 1080 | 30 | 100 | 1080 | 0.05 | 20 | 800 | |
| SLD-1130-20-YY-30 | 1130 | 27 | 30 | 1125 | 0.03 | 20 | 300 | |
| SLD-1140-85-YY-1 | 1140 | 85 | 1 | 1110, 1170 | 4 | 0.05 | 20 | 400 |
| SLD-1190-90-YY-1 | 1190 | 90 | 1 | 1160, 1225 | 5 | 0.02 | 20 | 300 |
| SLD-1250-110-YY-5 | 1250 | 110 | 5 | 1210, 1280 | 6 | 0.05 | 20 | 800 |
| SLD-1280-50-YY-1 | 1280 | 50 | 1 | 1280 | 0.02 | 20 | 400 |
1– @ ASE 大值，RMS 在 1 nm 范圍內，10pm 分辨率
780-1330 nm范圍內的任何定制波長都是可能的。
波長功率密度曲線
注意:
這種設備發出的光是看不見的，可能對人眼有害。設備運行時，避免直視光纖連接器。在連接器打開的情況下操作時，必須佩戴合適的。
大額定值只能在短時間內應用于設備。長時間暴露于大額定值或暴露于一個以上的大額定值可能會導致設備損壞或影響設備的可靠性。在大額定值之外操作設備可能會導致設備故障或安全隱患。必須使用與部件一起使用的電源，以確保不會超過大正向電流。散熱器上的設備需要一個合適的散熱器。該裝置必須使用4個螺釘（以X型方式擰緊，初始扭矩設置為0.075Nm，終X型螺栓擰緊為0.15Nm）或夾具安裝在散熱器上。散熱器表面的平面度偏差必須小于0.05mm。建議在外殼底部和散熱器之間使用銦箔或導熱軟材料作為熱接口。為此不希望使用導熱油脂避免設備背面反射。它可能會在頻譜和功率穩定性方面對設備性能產生影響。它也可能造成致命的關節面損傷。強烈建議使用光學隔離器來阻擋背面反射。
不要拉動光纖。不要彎曲半徑小于3厘米的光纖。在安裝過程中，應始終保護光纖免受任何污染或損壞。取下覆蓋在光纖的防塵帽后，使用光學透鏡清潔紙或棉簽輕輕擦拭異丙醇或乙醇，向一個方向仔細清潔光纖。僅使用干凈的光纖連接器操作設備。
靜電放電是導致產品意外失效的主要原因。采取端預防措施，防止ESD。在設備安裝過程中，必須保持ESD保護——在處理產品時使用腕帶、接地工作表面和嚴格的防靜電技術。
更新時間：2023/5/24 17:35:35
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