PH780DBR系列高功率邊發射激光器基于Photodigm的單頻激光技術。它提供衍射受限的單橫向和縱向模式光束。端面經過鈍化處理，具有高功率和高可靠性。該裝置應用于以銣基光電材料的原子光譜學中。
技術
DBR單頻激光芯片
砷化鋁鎵量子阱（QW）AlGaAs QW 有源層
Epi設計，可靠性高
特征
多種封裝樣式可供選擇
短脈沖長度下的脈沖操作，確保光譜穩定性
適用于 CW 應用的高功率
高斜率效率
大額定參數
| 參數 | 符號 | 單位 | 小值 | 大值 |
| 儲存溫度 | TSTG | °C | 0 | 80 |
| 工作溫度 | TOP | °C | 5.0 | 70 |
| 連續波激光正向電流, T=Top | IF | mA | - | ~150** |
| 脈沖激光正向電流, T=25°C, | IF | A | - | 0.3 |
| PW=300 ns, DC=10% | ||||
| 激光器反向電壓 | VR | V | - | 0.0 |
| 光電二管正向電流1/2/ | IP | mA | - | 5.0 |
| 光電二管反向電壓 1/2/ | VR | V | - | 20.0 |
| 光電二管暗電流, VR=10V, LD IF=0, 1/2/ | ID | nA | - | 50 |
| 制冷器電流 1/2/ | ITEC | A | -1.8 | 1.8 |
| 制冷器電壓 1/2/ | VTEC | V | -1.9 | 1.9 |
| 熱敏電阻電流 1/2/ | ITHRM | mA | - | 1.0 |
| 熱敏電阻 1/2/ | VTHRM | V | - | 10 |
| 外部背反射 | - | dB | - | -14 |
| 焊接溫度, 10 sec. Max.1/2/ | - | °C | - | 260 |
| 光纖牽引力 1/ | - | N | - | 5.0 |
| 光纖彎曲半徑 1/ | - | mm | - | 35 |
1/ 蝶形封裝 2/ TO8 封裝 **不超過所提供的LIV的驅動電流或操作功率
TC = 25°C時的連續波特性
| 參數 | 符號 | 單位 | 小值 | 典型值 | 大值 |
| 中心波長 | λc | nm | 778 | 780 | 782 |
| 光輸出功率 @ LIV 電流 | Po | mW | 請參閱Power Options Call-out | ||
| 斜率效能, 1/ | ηd | W/A | 0.25 | 0.36 | |
| 斜率效能 | ηd | W/A | 0.60 | 0.75 | - |
| 閾值電流 | Ith | mA | - | 50 | 70 |
| 激光器串聯電阻 | RS | Ω | - | 2.0 | 2.5 |
| 激光正向電壓 | VF | V | - | 2.0 | 2.5 |
| 熱敏電阻阻抗 @ 25°C, 1/2/ | RT | KΩ | - | 10 | - |
| 光電二管暗電流, VR=10V, LD IF=0, 1/2/ | ID | nA | - | - | 50 |
| 激光線寬 | ∆v | MHz | - | 0.5 | 1 |
| 偏振消光比, 1/ | PER | dB | -16 | -19 | - |
| 光束發散度 @ 半峰全寬 | θװ X θ┴ | º | - | 6 X 26 | 8 X 28 |
| 邊模抑制比 | SMSR | dB | -30 | - | - |
| 激光偏振 | TE | ||||
| 模結構 | 基諧模 | ||||
1/ 蝶形封裝 2/ TO-8 封裝
操作注意事項
這些設備對靜電敏感。操作模塊時，必須使用接地工作區和防靜電手環。務必儲存在防靜電容器中，所有導線短接在一起。
如何訂購
產品型號示例:PH780DBR080CM。所有的功率輸入都使用三位數的格式。請致電工廠對某些原子吸收線進行特殊性能選擇和認證。蝶形封裝只提供20mW的功率，不建議用于光譜學應用。請參閱Photodigm的應用說明，標題為 "光學反饋"
更新時間：2023/5/24 17:35:35
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