負載電容的計算方法：
在做電路設計的時候，很多工程師不知道晶振的負載電容改如何計算，在設計的時候，很多人都憑借的經驗加個20PF,或者22PF，18PF。
晶振的兩個引腳與芯片（如單片機）內部的反相器相連接，再結合外部的匹配電容CL1、CL2、R1、R2，組成一個皮爾斯振蕩器（Pierce oscillator）。如下圖所示：
上圖中，U1為增益很大的反相放大器，CL1、CL2為匹配電容，是電容三點式電路的分壓電容，接地點就是分壓點。以接地點即分壓點為參考點，輸入和輸出是反相的，但從并聯諧振回路即石英晶體兩端來看，形成一個正反饋以保證電路持續振蕩，它們會稍微影響振蕩頻率，主要用與微調頻率和波形，并影響幅度。 X1是晶體，相當于三點式里面的電感，R1是反饋電阻（一般≥1MΩ），它使反相器在振蕩初始時處于線性工作區，R2與匹配電容組成網絡，提供180度相移，同時起到限制振蕩幅度，防止反向器輸出對晶振過驅動將其損壞。
這里涉及到晶振的一個非常重要的參數，即負載電容CL（Load capacitance），它是電路中跨接晶體兩端的總的有效電容（不是晶振外接的匹配電容），主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻，與晶體一起決定振蕩器電路的工作頻率，通過調整負載電容，就可以將振蕩器的工作頻率微調到標稱值。
負載電容的公式如下所示：
C_L=C_S+(C_D×C_G)/(C_D+C_G )
其中，CS為晶體兩個管腳間的寄生電容（Shunt Capacitance）
CD表示晶體振蕩電路輸出管腳到地的總電容，包括PCB走線電容CPCB、芯片管腳寄生電容CO、外加匹配電容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2
CG表示晶體振蕩電路輸入管腳到地的總電容，包括PCB走線電容CPCB、芯片管腳寄生電容CI、外加匹配電容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1
一般CS為1pF左右，CI與CO一般為幾個皮法，具體可參考芯片或晶振的數據手冊
（這里假設CS=0.8pF，CI=CO=5pF，CPCB=4pF）。
比如規格書上的負載電容值為18pF，則有
則CD=CG=34.4pF，計算出來的匹配電容值CL1=CL2=25pF
頻偏的計算方法
我們描述頻偏的時候一般是以ppm作為單位來描述的，ppm是百萬分之一的意思也就是10^-6。假如我們有一個晶振，它的頻率標值是12MHZ，但是我們測試到的是11.99998MHZ。那么Foffset=12-11.99998=0.00002MHZ。
ppm=(0.00002/12)*10^6=1.67。
一般在選中晶振的時候選中精度相對好點的。類似STM32這樣的芯片其實ppm<30的時候 基本可以接受。
