原標題：ROHM開發出業界高效率與軟開關兼備的650V耐壓IGBT “RGTV/RGW系列”
＜概要＞
半導體制造商ROHM新開發出兼備業界低傳導損耗※1和高速開關特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速開關版）”，共21種機型。這些產品非常適用于UPS（不間斷電源）、焊接機及功率控制板工業設備、空調、IH（感應加熱）等消費電子產品的通用變頻器及轉換器的功率轉換。
此次開發的新系列產品采用薄晶圓技術及ROHM結構，在具有權衡關系的低導通損耗和高速開關特性方面，獲得了業界的性能。例如，在交錯式PFC電路中使用時，與以往產品相比，輕負載時效率提升1.2％，重負載時效率提升0.3％，有助于進一步降低應用的功耗。另外通過元器件內部的優化，實現了順暢的軟開關。與同等效率的普通產品相比，成功減少50%電壓過沖※4，從而減少以往需要用來對策的部件數量，可顯著減輕設計負擔。
本系列產品已于2017年10月開始出售樣品（樣品價格400日元～/個：不含稅），并于2017年12月開始暫以月產10萬個的規模開始量產。前期工序的生產基地為藍碧石半導體宮崎株式會社（日本宮崎縣），后期工序的生產基地為ROHM Integrated Systems (Thailand)（泰國）。
＜背景＞
近年來，隨著IoT進程帶來的數據量増加，對數據中心高性能化的要求越來越高。不僅服務器本身，包括進行主體電源穩定供給所不可欠缺的UPS等在內，系統整體的功耗量顯著增加，進一步降低功耗已成為重要課題。
另外，在使用IGBT的大功率應用中，為確保設備的可靠性，必須對可引發元器件故障或設備誤動作的開關時的過沖采取措施，簡化需求日益迫切。
＜特點＞
1．實現業界的低傳導損耗和高速開關性能
在本新系列產品中，利用薄晶圓技術使晶圓厚度比以往產品再薄15％，另外采用ROHM的單元微細化結構，成功實現業界的低導通損耗（VCE(sat)＝1.5V）和高速開關特性（tf=30～40ns）。
2．實現軟開關，減輕設備的設計負擔
通過元器件內部優化，實現了ON/OFF順暢切換的軟開關。由此，開關時產生的電壓過沖與普通產品相比減少了50％，可減少用來抑制過沖的外置柵極電阻和緩沖電路等部件數量。使用IGBT時，應用端不再需要以往需要的過沖對策，有利于減輕設計負擔。
＜產品陣容＞
產品陣容又新增了以“短路耐受能力保持2μs”為特點的RGTV系列和以“高速開關性能”為特點的RGW系列，能夠支持更廣泛的應用。
RGTV系列（短路耐受能力保持版）
RGW系列（高速開關版）
＜應用＞
工業設備（UPS（不間斷電源）、焊接機、功率控制板等）、空調、IH（感應加熱） 等
＜術語解說＞
※1 導通損耗
MOSFET和IGBT等晶體管因元器件結構的緣故，在電流流動時發生電壓下降。
導通損耗是因這種元器件的電壓下降而產生的損耗。
※2 IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極晶體管）
MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低傳導損耗特性兼備的功率晶體管。
※3 短路耐受能力
對引起元器件損壞的短路（電子電路的2點用低阻值的電阻器連接）
的耐受能力。
※4 電壓過沖
開關ON/OFF時產生超出規定電壓值的電壓。
電壓值因過沖而暫時超出穩態值，之后返回到接近穩態值。
