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早在1879年，物現(xiàn)學(xué)家E. H. Hall就發(fā)現(xiàn)把通有電流的金屬薄片置于垂直于它的 磁場(chǎng)中，在金屬薄片的兩側(cè)面之間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電位差——霍爾電勢(shì)。這種現(xiàn)象被后人稱之為“霍爾效應(yīng)”。由于在導(dǎo)體中“霍爾效應(yīng)”很微弱，所以一直不為人們所重視。直到本世紀(jì)四十 年代后期，半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，才發(fā)現(xiàn)霍爾效應(yīng)在高純度半導(dǎo)體中極為顯著。由此人們 對(duì)霍爾效應(yīng)的研究和應(yīng)用逐步重視起來(lái)。并將霍爾效應(yīng)用于傳感器技術(shù)中。 

接觸式霍爾位移傳感器

工作原理   取—塊半導(dǎo)體長(zhǎng)為l、b、厚度d的半導(dǎo)體置于場(chǎng)強(qiáng)度為B的外磁場(chǎng) 中，當(dāng)有電流I流過(guò)時(shí)，則半導(dǎo)體中的電子將受到垂直于B和l方向的洛倫茲力F的作 用。如圖1.12.1所示，電子在F的作用下被椎向半導(dǎo)體的一側(cè)，并在該側(cè)面上形成電子 積累,在另一側(cè)形成正電荷積積累，從而在半導(dǎo)體兩側(cè)面之間 形成靜電場(chǎng)E。此電場(chǎng)產(chǎn)生阻止電子繼續(xù)向該側(cè)面移動(dòng)的 電場(chǎng)力F。當(dāng)電子所受的電 場(chǎng)力F與洛倫茲力大小 相等時(shí)，則電子積累達(dá)到動(dòng)態(tài) 平衡。這時(shí)，在半導(dǎo)體兩側(cè)面 之間建立起的電場(chǎng)E所對(duì)應(yīng)的電勢(shì)就稱之為“霍爾電勢(shì)”。