技術參數
| 品牌： | ST |
| 型號： | STP150N10F7 |
| 批號： | 19+20+ |
| 封裝： | TO-220 |
| 數量： | 21050 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | MOSFET |
| 安裝風格： | Si |
| 封裝 / 箱體： | Through Hole |
| 晶體管極性： | TO-220-3 |
| 通道數量： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 1 Channel |
| Id-連續漏極電流： | 100 V |
| Rds On-漏源導通電阻： | 110 A |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 4.2 mOhms |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 20 V |
| Qg-柵極電荷： | 4.5 V |
| 最小工作溫度： | 117 nC |
| 工作溫度： | - 55 C |
| Pd-功率耗散： | + 175 C |
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。