
技術參數
| 品牌: | ST |
| 型號: | STP150N10F7 |
| 批號: | 19+20+ |
| 封裝: | TO-220 |
| 數量: | 21050 |
| QQ: | |
| 制造商: | STMicroelectronics |
| 產品種類: | MOSFET |
| 安裝風格: | Si |
| 封裝 / 箱體: | Through Hole |
| 晶體管極性: | TO-220-3 |
| 通道數量: | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 1 Channel |
| Id-連續漏極電流: | 100 V |
| Rds On-漏源導通電阻: | 110 A |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | 4.2 mOhms |
| Vgs th-柵源極閾值電壓: | 20 V |
| Qg-柵極電荷: | 4.5 V |
| 最小工作溫度: | 117 nC |
| 工作溫度: | - 55 C |
| Pd-功率耗散: | + 175 C |














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