產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：SI4172DY-T1-GE3批號：19+20+封裝：SOP-8數量：21050QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：分立半導體產品產品族：晶體管-FET
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI4172DY-T1-GE3 |
| 批號： | 19+20+ |
| 封裝： | SOP-8 |
| 數量： | 21050 |
| QQ： | |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 類型： | N 通道 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30V |
| 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）： | 15A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值）： | 12 毫歐 @ 11A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（值）： | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值）： | 23nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值）： | 820pF @ 15V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 2.5W（Ta），4.5W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
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