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深圳市顏洋電子有限公司

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場效應(yīng)管 AON6362

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào):AON6362
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:絕緣柵(MOSFET)
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2023-12-09 16:04:53
  • 瀏覽次數(shù):11
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  • 商鋪產(chǎn)品:1048條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊(cè)時(shí)間:2023-12-09
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產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:AOS型號(hào):AON6362批號(hào):19+20+封裝:DFN數(shù)量:21050QQ:類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FET

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:AOS
型號(hào):AON6362
批號(hào):19+20+
封裝:DFN
數(shù)量:21050
QQ:
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FET 類型:N 通道
漏源電壓(Vdss):30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):27A(Ta),60A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓( Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(值):5.2 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(值):2.2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(值):13 nC @ 10 V
Vgs(值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(值):820 pF @ 15 V
功率耗散(值):6.2W(Ta),31W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線
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