技術參數
| 品牌： | FAIRCHILD |
| 型號： | FQB19N20LTM |
| 批號： | 19+20+ |
| 封裝： | TO-263 |
| 數量： | 21050 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-263-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 200 V |
| Id-連續漏極電流： | 21 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 140 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 3.13 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 高度： | 4.83 mm |
| 長度： | 10.67 mm |
| 系列： | FQB19N20L |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 類型： | MOSFET |
| 寬度： | 9.65 mm |
| 商標： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 正向跨導 - 最小值： | 18.5 S |
| 下降時間： | 180 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 300 ns |
| 工廠包裝數量： | 800 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 130 ns |
| 典型接通延遲時間： | 35 ns |
| 零件號別名： | FQB19N20LTM_NL |
| 單位重量： | 1.312 g |
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