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深圳市顏洋電子有限公司

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當(dāng)前位置:深圳市顏洋電子有限公司>>集成電路(IC)>>其他集成電路>> FQA70N15場(chǎng)效應(yīng)管 FQA70N15

場(chǎng)效應(yīng)管 FQA70N15

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào):FQA70N15
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2023-12-09 12:55:41
  • 瀏覽次數(shù):10
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  • 經(jīng)營(yíng)模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1048條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊(cè)時(shí)間:2023-12-09
  • 最近登錄:2023-12-09
  • 聯(lián)系人:周先生
  • 電    話:13826576328
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:FAIRCHILD
型號(hào):FQA70N15
批號(hào):19+20+
封裝:TO-3P
數(shù)量:21050
QQ:
制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-3PN-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
Id-連續(xù)漏極電流:70 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:28 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Qg-柵極電荷:175 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:330 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:QFET
封裝:Tube
配置:Single
高度:20.1 mm
長(zhǎng)度:16.2 mm
系列:FQA70N15
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:5 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:48 S
下降時(shí)間:290 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:420 ns
工廠包裝數(shù)量:450
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:340 ns
典型接通延遲時(shí)間:60 ns
零件號(hào)別名:FQA70N15_NL
單位重量:6.401 g
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