產品簡介
技術參數品牌：FAIRCHILD型號：HGTG10N120BND批號：19+20+封裝：TO-3P數量：21050QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：IGBT晶體管RoHS：是技術：Si封裝/箱體：TO-247-3安裝風格：ThroughHole配置：Single集電極—發射極電壓VCEO：1200V集電極—射極飽和電壓：2
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | FAIRCHILD |
| 型號： | HGTG10N120BND |
| 批號： | 19+20+ |
| 封裝： | TO-3P |
| 數量： | 21050 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | IGBT 晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 封裝 / 箱體： | TO-247-3 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 1200 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 2.45 V |
| 柵極/發射極電壓： | 20 V |
| 在25 C的連續集電極電流： | 17 A |
| Pd-功率耗散： | 298 W |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 系列： | HGTG10N120BND |
| 封裝： | Tube |
| 集電極連續電流 Ic： | 35 A |
| 高度： | 20.82 mm |
| 長度： | 15.87 mm |
| 寬度： | 4.82 mm |
| 商標： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 集電極連續電流： | 35 A |
| 柵極—射極漏泄電流： | +/- 250 nA |
| 產品類型： | IGBT Transistors |
| 工廠包裝數量： | 450 |
| 子類別： | IGBTs |
| 零件號別名： | HGTG10N120BND_NL |
| 單位重量： | 6.390 g |
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