產品簡介
技術參數品牌：ONSEMI型號：FQD3P50TM-F085封裝：TO-252批次：21+數量：7860制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3通道數量：1Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：500VId-連續漏極電流：2
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ONSEMI |
| 型號： | FQD3P50TM-F085 |
| 封裝： | TO-252 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 7860 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 500 V |
| Id-連續漏極電流： | 2.1 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 4.9 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 30 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.5 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 商標名： | QFET |
| 高度： | 2.39 mm |
| 長度： | 6.73 mm |
| 系列： | FQD3P50TM_F085 |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 類型： | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 寬度： | 6.22 mm |
| 商標： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 正向跨導 - 最小值： | 2.1 S |
| 下降時間： | 45 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 56 ns |
| 工廠包裝數量： | 2500 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 35 ns |
| 典型接通延遲時間： | 12 ns |
| 零件號別名： | FQD3P50TM_F085 |
| 單位重量： | 260.370 mg |
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