產品簡介
技術參數品牌：INFINEON/英飛凌型號：IPD50N06S4L-08封裝：TO-252批次：21+數量：12000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：50ARdsOn-漏源導通電阻：6
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | INFINEON/英飛凌 |
| 型號： | IPD50N06S4L-08 |
| 封裝： | TO-252 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 12000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續漏極電流： | 50 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 6.3 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 16 V, + 16 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.2 V |
| Qg-柵極電荷： | 64 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 71 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 2.3 mm |
| 長度： | 6.5 mm |
| 系列： | OptiMOS-T2 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 6.22 mm |
| 下降時間： | 8 ns |
| 上升時間： | 2 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 45 ns |
| 典型接通延遲時間： | 9 ns |
| 零件號別名： | IPD5N6S4L8XT SP000374322 IPD50N06S4L08ATMA1 |
| 單位重量： | 330 mg |
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