產品簡介
技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：IPB120P04P4-04批次：21+數量：12000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PG-TO-263-3通道數量：1Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：40VId-連續漏極電流：120ARdsOn-漏源導通電阻：3
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | Infineon 英飛凌 |
| 型號： | IPB120P04P4-04 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 12000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PG-TO-263-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 40 V |
| Id-連續漏極電流： | 120 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 3.8 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2 V |
| Qg-柵極電荷： | 158 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 136 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 4.4 mm |
| 長度： | 10 mm |
| 系列： | OptiMOS-P2 |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 寬度： | 9.25 mm |
| 下降時間： | 52 ns |
| 上升時間： | 20 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 49 ns |
| 典型接通延遲時間： | 30 ns |
| 零件號別名： | IPB120P04P404ATMA1 SP000842270 IPB12P4P44XT IPB120P04P404ATMA1 |
| 單位重量： | 4 g |
- 上一篇： AD630ARZ 射頻器件 ADI 亞德諾 批次21+
- 下一篇： IPG20N10S4L-22 集成電路、處理器、微
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。