
技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | ST 意法 |
| 型號(hào): | VND7NV04TR-E |
| 批次: | 21+ |
| 數(shù)量: | 15000 |
| 制造商: | STMicroelectronics |
| 產(chǎn)品種類: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體: | TO-252-3 |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 45 V |
| Id-連續(xù)漏極電流: | 6 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 60 mOhms |
| Qg-柵極電荷: | 18 nC |
| Pd-功率耗散: | 60 W |
| 資格: | AEC-Q101 |
| 系列: | VND7NV04 |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值: | 9 S |
| 下降時(shí)間: | 350 ns |
| 濕度敏感性: | Yes |
| 上升時(shí)間: | 470 ns |
| 單位重量: | 4 g |
















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