產品簡介
技術參數品牌:Infineon英飛凌型號:IPD30N06S2L-23批次:21+數量:12000制造商:Infineon產品種類:MOSFETRoHS:是安裝風格:SMD/SMT封裝/箱體:TO-252-3晶體管極性:N-Channel通道數量:1ChannelVds-漏源極擊穿電壓:55VId-連續漏極電流:30ARdsOn-漏源導通電阻:15
詳情介紹

技術參數
| 品牌: | Infineon 英飛凌 |
| 型號: | IPD30N06S2L-23 |
| 批次: | 21+ |
| 數量: | 12000 |
| 制造商: | Infineon |
| 產品種類: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 安裝風格: | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體: | TO-252-3 |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| 通道數量: | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 55 V |
| Id-連續漏極電流: | 30 A |
| Rds On-漏源導通電阻: | 15.9 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓: | 1.2 V |
| Qg-柵極電荷: | 42 nC |
| 最小工作溫度: | - 55 C |
| 工作溫度: | + 175 C |
| Pd-功率耗散: | 100 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 配置: | Single |
| 高度: | 2.3 mm |
| 長度: | 6.5 mm |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel |
| 寬度: | 6.22 mm |
| 下降時間: | 9 ns |
| 上升時間: | 22 ns |
| 典型關閉延遲時間: | 33 ns |
| 典型接通延遲時間: | 7 ns |
| 零件號別名: | SP000252168 IPD30N06S2L23ATMA1 |
| 單位重量: | 330 mg |
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