| 區(qū)別 | 接點(diǎn)構(gòu)成 | 型號 | 額定電壓 (V) |
|---|---|---|---|
| 繼電器輸出 | 1a×4 | G6D-F4B | DC12 |
| DC24 | |||
| 功率MOS FET繼電器輸出 | G3DZ-F4B | DC12 | |
| DC24 |
使用方便和節(jié)省空間的4點(diǎn)輸出用終 端繼電器
【產(chǎn)品特點(diǎn)】
寬31×高35×進(jìn)深68mm。與PYF尺寸相同。
單獨(dú)接點(diǎn)、單獨(dú)線圈。
用短路棒（另售） 簡單連接共用端子。 而且還可以共用連接臨近的終端。
端子蓋可防止觸電事故。
備有內(nèi)置繼電器型和功率MOS FET繼電器型，品種齊備。
帶動(dòng)作指示LED。
內(nèi)置線圈浪涌吸收用二極管。
DIN導(dǎo)軌安裝、螺釘安裝共用。
附帶繼電器的拆卸工具。
標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品獲得UL、CSA、VDE標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證產(chǎn)品 （VDE認(rèn)證品G6D-F4B）。
本體
選裝件（另售）
連接插座（可單件銷售）
| 型號 | 額定電壓 (V) |
|---|---|
| P6DF-F4B | DC12 |
| DC24 |
注1. 連接插座P6DF-F4B的單件， 尚未取得國際標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。
2. 為附帶罩蓋產(chǎn)品。
短路棒
| 適用的終端繼電器型號 | 型號 | |
|---|---|---|
| G6D-F4B | G6D-4-SB | |
| G3DZ-F4B | ||
更換用繼電器
| 適用的終端繼電器型號 | 型號 | 額定電壓 (V) |
|---|---|---|
| G6D-F4B | G6D-1A-ASI | DC12 |
| DC24 | ||
| G3DZ-F4B | G3DZ-2R6PL | DC12 |
| DC24 |
額定規(guī)格
繼電器規(guī)格
操作線圈（單個(gè)G6D繼電器）
| 額定電壓 (V) | 額定電流 (mA) | 線圈電阻 (Ω) | 動(dòng)作電壓 (V) | 復(fù)位電壓 (V) | 容許 電壓 (V) | 功耗 (mW) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DC | 12 | 18.7 | 720 | 70%以下 * | 10%以上 | 1.3 | 約200 |
| 24 | 10.5 | 2880 | |||||
注1. 額定電流、線圈電阻的值是指， 線圈溫度為+23℃時(shí)的值， 公差為±10%。
2. 動(dòng)作特性指的是線圈溫度為+23℃時(shí)的值。
3. 容許電壓是指， 繼電器線圈操作電源的電壓容許變化范圍內(nèi)的值。 不是連續(xù)容許。
4. 額定電流包含終端的LED電流。
* 但上下反向安裝時(shí)為75%以下。
開關(guān)部（單個(gè)G6D繼電器）
| 負(fù)載 | 電阻負(fù)載(cosφ＝1) |
|---|---|
| 額定負(fù)載 | AC250V 3A、DC30V 3A |
| 額定通電電流 | 5A |
| 接點(diǎn)電壓的值 | AC250V、DC30V |
| 接點(diǎn)電流的值 | 5A |
| 開關(guān)容量值(參考值) | 1,250VA、150W |
功率MOS FET繼電器規(guī)格
輸入（單個(gè)G3DZ功率MOS FET繼電器）
| 額定電壓 (V) | 使用電壓 | 動(dòng)作電壓 電平 | 復(fù)位電 壓電平 | 輸入阻抗 | 額定電流 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DC | 12 | DC9.6～14.4V | DC9.6V以下 | DC1V 以上 | 2kΩ±20% | 8.0mA±20% |
| 24 | DC19.2～28.8V | DC19.2V以下 | 4kΩ±20% | 8.2mA±20% | ||
注：額定電流包含終端的LED電流。
輸出（單個(gè)G3DZ功率MOS FET繼電器）
| 負(fù)載電壓 | 負(fù)載電流 | 浪涌ON電流耐量 |
|---|---|---|
| AC3～264V DC3～125V | 100μ～0.3A | 6A (10ms) |
注：G3DZ上沒有輸出極性。
性能
| 型號 | G6D-F4B | |
|---|---|---|
| 繼電器輸出 | ||
| 接觸電阻 *1 | 100mΩ以下 | |
| 動(dòng)作時(shí)間 *2 | 10ms以下 | |
| 復(fù)位時(shí)間 *2 | 10ms以下 | |
| 絕緣電阻 | 1,000MΩ以上(DC500V兆歐表) | |
| 耐電壓 | 線圈/接點(diǎn)之間 | AC2,000V 50/60Hz 1min |
| 同極接點(diǎn)間 | AC750V 50/60Hz 1min | |
| 耐沖擊電壓 (線圈/接點(diǎn)之間) | 4,000V(1.2×50μs) | |
| 振動(dòng) | 耐久 | 10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm) |
| 誤動(dòng)作 | 10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm) | |
| 沖擊 | 耐久 | 500m/s2 |
| 誤動(dòng)作 | 100m/s2 | |
| 耐久性 | 機(jī)械 | 2,000萬次以上(開關(guān)頻率18,000次/h) |
| 電氣 *2 | AC250V 3A(電阻負(fù)載)10萬次以上 DC30V 3A(電阻負(fù)載)10萬次以上 (開關(guān)頻率1,800次/h) | |
| 故障率P水準(zhǔn)(參考值 *3) | DC5V、10mA | |
| 使用環(huán)境溫度、保管溫度 | -25～+55℃(無結(jié)冰) | |
| 使用環(huán)境濕度 | 45～85%RH | |
| 質(zhì)量 | 約65g | |
注：上述值為初始值。
*1. 測量條件： DC5V 1A
*2. 環(huán)境溫度條件： +23℃
*3. 此值為開關(guān)頻率120次/min時(shí)的值。
| 型號 | G3DZ-4B |
|---|---|
| 功率MOS FET繼電器輸出 | |
| 動(dòng)作時(shí)間 | 10ms以下 |
| 復(fù)位時(shí)間 | 15ms以下 |
| 輸出ON電阻 | 2.4Ω以下 |
| 開路時(shí)漏電流 | 10μA以下(DC125V時(shí)) |
| 絕緣電阻 | 100MΩ以上(DC500V兆歐表) |
| 輸入輸出間耐電壓 | AC2,000V 50/60Hz 1min |
| 振動(dòng) | 10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm) |
| 沖擊 | 500m/s2 |
| 使用環(huán)境溫度、保管溫度 | -25～+55℃(無結(jié)冰) |
| 使用環(huán)境濕度 | 45～85%RH |
| 質(zhì)量 | 約65g |
（單位：mm）
本體
G6D-F4B
G3DZ-F4B
注1. 輸入端子有極性， 連接時(shí)請注意。
2. G6D-F4B/G3DZ-F4B都沒有輸出極性。
選裝件（另售）
G6D-4-SB Short Bar
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